【开元，新闻】据外媒ZDNet消息，三星电子日前表示，该公司已成功将3D封装技术应用于7nm极紫外光刻（EUV）测试芯片上。该技术可使开发人员通过在逻辑层顶部堆叠SRAM（静态随机存取存储器）来设计更小巧、功能更强大的芯片。

　　三星的这种3D封装技术被称为X-Cube（扩展立方体），该技术与传统方法不同，它可将SRAM堆叠在芯片逻辑层的顶部，而在传统方法中，用于高速缓存的SRAM只能被放置在同一平面上靠近CPU和GPU等逻辑芯片的位置。

三星3D封装技术（图源三星）

　　三星还将采用其TSV（硅通孔）技术，其中存储层和逻辑层的导线通过微小的孔连接，而不是通过控制器周围的导线连接，这可以提高运行速度、降低功耗并能以紧凑的方式封装芯片。

　　三星补充说，这些技术提供的超薄封装设计还使芯片之间的信号路径更短，从而最大程度地提高了数据传输速度和能源效率。该公司将为客户提供X-Cube的设计方法和流程，以便他们可以开始设计由EUV工艺制造的7nm和5nm芯片。